Cайт книжных магазинов "Деловая литература"

Технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газ фазы

Автор: Цена: Код издания: Издательство: Год: Страниц: Переплёт: ISBN: Доломановский: Серафимовича:      97 руб   0053487   Техносфера   2006   192   Твердый   5-94836-039-3   нет   есть    шт.

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок.
Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям ВУЗов.